长鑫存储涉嫌盗取三星DRAM技术，前员工获重刑

近期，韩国法院审理了一起关于三星电子技术泄露的刑事案件，证据显示，中国最大的DRAM制造企业长鑫存储（CXMT）曾计划获取三星的存储工艺技术知识产权，以便发展自身的生产节点。根据《每日经济新闻》的报道，长鑫存储管理层从一开始就不打算自主研发工艺技术，因而从三星获取知识产权被认为是一项战略选择。这种意图被视为长鑫存储商业计划的重要组成部分，而非在其DRAM工艺开发启动后才匆忙采取的措施。证词由一位名为全（Jeon）的前三星工程师提供，他在三星工作了28年，约于2016年加入长鑫存储。今年4月，他因非法获取与三星DRAM制造工艺（特别是18nm工艺节点）相关的600步工艺配方（PRP）信息，被判处七年监禁。全某在法庭上作证称：“长鑫存储的CEO和CTO从一开始就试图窃取三星电子的工艺配方信息来发展DRAM。长鑫存储成立时没有研究机构或设施，也没有计划通过自主研究来开发技术。” 尽管复制配方并不意味着必然获得可用的工艺，但详细的工艺配方可以显著缩短任何生产节点的开发时间，因为它揭示了诸如工艺步骤、沉积条件、蚀刻条件、退火、清洗、注入参数、温度、压力及设备类型等关键性信息。对于存储工艺而言，现有的工艺配方能大大减少重复试验的时间，并提供工艺整合的运作暗示。然而，即使拥有配方，也需要获取相应的工具并对其特性进行调整，才能确保其效果。尽管配方有助于加快制造技术的进展，但它本身并不总揭示完整的晶体管架构或物理设计。窃取者往往还需要获取截面结构、掩模和布局信息、设计规则、器件尺寸以及电容器几何特征等细节。这些细节对于全新制造技术来说并不容易获得，但通过对已出货产品进行逆向工程可以取得。将工艺配方与逆向工程结合使用，能够大幅度加快技术开发的步伐。